可行性研究報告/項目建議書
■服務內(nèi)容
? ?根據(jù)國家或相關部門深度及格式要求，編制可研報告，滿足項目立項或其他行政審批等需求。
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■典型案例
（1）項目案例1
? 項目名稱：12英寸集成電路模擬特色工藝生產(chǎn)線項目（三、四期）
? 建設單位：廣州粵芯半導體技術有限公司
? 建設地點：廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識城
? 項目總用地面積：285328平方米
? 生產(chǎn)規(guī)模：三期項目重點是工藝平臺質(zhì)量規(guī)格的精進，在已有的技術平臺基礎上打造工業(yè)級和車規(guī)級模擬特色工藝平臺，實現(xiàn)新增月產(chǎn)能4萬片，滿足目前巨大產(chǎn)能需求的同時提升產(chǎn)品的質(zhì)量及經(jīng)濟效益；四期項目重點打造更先進的55-28nm高端模擬特色工藝平臺，新增月產(chǎn)能4萬片，實現(xiàn)高可靠性工業(yè)級及車規(guī)級芯片的制造能力。三、四期建設全部完成投產(chǎn)后，連同一期、二期產(chǎn)能將實現(xiàn)月產(chǎn)近12萬片12英寸晶圓的高端模擬芯片制造產(chǎn)能規(guī)模，其中工業(yè)級和車規(guī)級芯片生產(chǎn)能力占比約為40%，實現(xiàn)在TMOS/SGT、MS、BCD、eNVM、CIS等多個工藝平臺上，量產(chǎn)應用于電力電子，伺服器/5G基站及汽車電子的功率器件芯片、信號鏈芯片、電源管理芯片、微控制器芯片及圖像傳感器等多種產(chǎn)品。
（2）項目案例2
? 項目名稱：12英寸顯示驅(qū)動高端定制晶圓生產(chǎn)線項目
? 建設單位：珠海橫琴方瑞聯(lián)合半導體有限責任公司
? 建設地點：珠海市橫琴新區(qū)（橫琴島）
? 項目總用地面積：約350畝
生產(chǎn)規(guī)模：加工12英寸晶圓3萬片/月。本項目專注于打造高端顯示屏驅(qū)動芯片之專業(yè)晶圓代工生產(chǎn)線，以國內(nèi)高端顯示面板供應鏈為主要服務對象、并以28nm、40nm、55nm之高壓制程（28V – 32V）為主要工藝產(chǎn)品，應用于中小尺寸手機用FHD解析度之OLED屏之驅(qū)動芯片、及TDDI整合型芯片。此外，28nm、40nm、55nm節(jié)點之工藝亦可應用于筆記本電腦與LCD顯示器之T-CON芯片（Timing Controller，時序控制芯片）及智能手機用高端CMOS影像傳感器（CIS）。
（3）項目案例3
? 項目名稱：面向新能源汽車及相關應用領域碳化硅晶圓芯片制造項目
? 建設單位：廣東芯粵能半導體有限公司
? 建設地點：廣州市南沙區(qū)
? 項目總用地面積：100000 平方米，約150畝。
? 生產(chǎn)規(guī)模：一階段——年產(chǎn)24萬片6英寸碳化硅晶圓芯片；二階段——年產(chǎn)24萬片8英寸碳化硅晶圓芯片。本項目產(chǎn)品為碳化硅（SiC）晶圓芯片，主要產(chǎn)品尺寸為6英寸和8英寸。產(chǎn)品定位為汽車電子級，工業(yè)級和消費級。主要目標市場新能源汽車，工業(yè)電網(wǎng)，太陽能領域。
（4）項目案例4
? 項目名稱：屹唐半導體集成電路裝備研發(fā)制造服務中心項目
? 建設單位：北京屹唐半導體科技有限公司
? 建設地點：北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)
? 項目總用地面積：39596.7平方米，約合59.4畝。
? 生產(chǎn)規(guī)模：本項目擬建設干法刻蝕設備、去膠設備、快速退火設備和毫秒級快速退火設備組裝及測試生產(chǎn)線，所生產(chǎn)的設備主要為全球12英寸晶圓廠客戶提供設備及技術支持，設備產(chǎn)能為300臺/年。
■通過國家級審核的重大項目
